大族半导体激光开槽技术取得新突破

作者：大族激光发布时间：2025/01/21

3D封装是在二维封装基础上向空间发展的高密度封装技术，该技术通过芯片堆叠或封装堆叠的方式实现器件功能的增加，不仅能显著提高封装密度，还能有效降低封装成本。在3D封装制程中，Hybrid bonding混合键合技术中D2W或D2D工艺是其核心制程之一，该制程对前道切割段的精度要求、质量要求以及particle管控更为严苛。相较于传统封装晶圆切割制程中Laser Grooving + Blade Saw方案，Laser Grooving + Plasma Dicing的组合切割方案凭借其优异的切割质量及particle管控等独特的优势，在3D封装领域日益受到重视与青睐，展现出了非凡的潜力，为3D封装技术的进一步发展奠定了坚实的基础。

大族半导体凭借在激光微加工领域的深厚积淀与卓越洞见，自2018年起便在国内率先进行Low-K开槽关键技术的研发并取得突破性成果。近期，我司隆重推出全新一代全自动晶圆激光开槽设备—GV-N3242系列。该设备在开槽质量、开槽精度、洁净度管控以及材料兼容性方面的大幅跃升，已圆满通过客户严苛的技术验证，并完全具备量产能力，赢得了客户的一致好评与广泛认可。

全自动晶圆激光开槽设备

型号：GV-N3242

01应用领域

用于先进封装领域，在晶圆表层开槽，辅助Plasma etch切割制程。

02设备优势

✦ 超快激光器(紫皮/紫飞)+新型光路整形方案，进一步提升开槽品质；超高精度机械/气浮平台，进一步提升开槽精度;

✦ 升级视觉方案，配备超高倍镜头(>20x)以及红外相机(选配)，提升视觉识别精度，实现晶圆背面开槽方案;

✦ 整机压差、对流以及涂胶清洗腔体设计升级，可满足百级洁净度要求，可支持裸晶圆/Frame全自动天车上下料兼容模式。

03主要参数

04开槽效果

大族半导体全自动晶圆激光开槽设备GV-N3242的成功推出，以高精度、高效率的特点，为半导体制造业提供了更为先进、可靠的解决方案，标志着我司在激光切割应用领域的深度探索与创新又前进了坚实的一步。展望未来，大族半导体将持续在激光切割应用领域深耕细作，为半导体制造业注入强劲动力，推动整个行业不断向前迈进。