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刻蚀机 ET12-XS2E2S1A

刻蚀机 ET12-XS2E2S1A

产品特点 1.利用位置、速度可控的摆臂喷洒化学液,可以有效的提高刻蚀均匀性;
2.分层式反应腔体设计,可以在同一腔体中喷洒多种化学液,并能有效回收,节约化液;
3.叠层控制,占地面积小,最多可配置4个刻蚀单元。

产品应用

应用范围:

化合物半导体、功率器件、MEMS、先进封装、射频集成电路。


产品参数

片盒数量
2CS&2LP
配置4 Etch unit
wafer 类型圆片
wafer 尺寸(mm)50-300
产能(WPH)90
化学药液H2O2、强酸碱
衬底材料Si、Glass、Sapphire、GaN、GaAs、SiC、LiTaO3、Li3PO4
适用工艺Wet Etch
干燥模式Spin Dry+N2 Dry


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